3D NAND闪存市场规模，分享和趋势分析通过产品，技术，区域前景，竞争策略和分部预测，2019年至2025年

预计全球3D NAND闪存市场将在预测期内显着增长。3D NAND Flash是一种闪存类型，其涉及堆叠在彼此顶部的存储器单元，以在较小的物理空间中提供更高的容量/体积比。它通过缩短电池之间的互连长度来最大化电效率。三星的3D V-NAND是第一个制造的3D NAND闪存芯片。垂直堆叠的单元格层利用充电陷阱闪光灯（CTF）技术，使其能够在芯片上提供高达128 GB的存储器。它具有两倍的写性能，其可扩展性的两倍，2D或平面NAND的可靠性的十倍，因此提高了笔记本电脑，智能手机和平板电脑的性能和稳定性。3D NAND芯片也用于固态硬盘(ssd)因为它们具有在没有电源的情况下保存数据的特点。3D NAND的制造过程比其他替代技术(如RRAM)要简单，因为它需要生产NAND所用的相同材料，而FRAM、MRAM和RRAM以及其他一些技术需要的新材料还没有得到很好的探索和理解。此外，它们还被广泛应用于消费电子产品和企业应用中。

主要智能手机制造商之间的竞争主要基于高性能。大量涌入的移民智能手机那平板电脑那市场上的笔记本电脑预计将成为该行业的主要动力。笔记本电脑制造商已经开始将这项技术集成在他们提供的一些优质笔记本中。增加对提供大存储空间的数据存储设备的需求预计将推动此3D NAND闪存市场。进一步预计将增加对编程，监测，游戏和各种关键区域的高性能计算机的需求，以推动该3D NAND闪存市场的增长。从高端企业市场开始，V-NAND技术逐步预期在阶段取代平面NAND市场。这些芯片的制造过程中涉及的一些挑战是构造垂直互连的电池阵列，构建高层多层结构，并在整个晶片上安装均匀厚度的层。另外，设备中的每个层必须由绝缘层包围。

行业参与者包括Micron Technology Inc，三星电子有限公司，英特尔公司Ltd.，Sk Hynix Inc.，Sandisk和Toshiba Corp等。东芝和SanDisk计划通过开发新的晶圆厂设施来开始创建3D NAND。预计3D NAND芯片将能够使用足够的容量创建嵌入式闪存来存储1TB的数据。