2018 - 2025年磁阻RAM (MRAM)市场分析，按类型(切换，自旋转移扭矩)，按应用(消费电子，机器人，汽车，企业存储，航空航天)，按地区和细分市场预测

报告概述

2016年全球磁阻存储器(MRAM)市场规模为3.075亿美元，预计在预测期内将获得增长。对可穿戴设备和柔性电子产品的需求不断增长，预计将推动这一领域的增长。这些电子产品需要灵活的磁存储器来处理和存储数据。

亚太磁阻RAM (MRAM)市场，各类型，2014 - 2025(百万美元)

与传统NAND相比，MRAM超越了性能，速度更快，功耗更低，即使在没有电源的情况下也能够保留数据。与dram和sram相比，这些存储器提供了巨大的增长空间，并具有快速的读写能力。

在未来几年，全球市场预计将经历加速增长，因为它具有取代闪存和其他电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的潜力。

嵌入式和独立存储器的新产品的推出，预计将提供一个增长的机会，因为它们在企业、消费电子、机器人、航空航天和国防以及工业部门等各种应用中使用。自旋隧道扭矩MRAM (STT)产品预计将对市场的大部分增长做出贡献。

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第二代STT在2015年占据了相当大的市场份额。由于该技术能够支持各种应用，预计将继续作为首选。此外，垂直磁隧道结(TMJ) STT有望为该行业做出重大贡献。这项技术将于2017年由Everspin Technologies, Inc.推出。到2025年，开关式技术的市场规模预计将达到11.975亿美元。

STT技术市场预计将在2017年占据主导地位，并有望在预测期内保持其主导地位。预计该市场将从2016年的1.989亿美元增长到2025年的36.064亿美元。由于STT技术具有较高的续航能力，预计DRAM技术将很快达到极限，并将被STT技术所取代。各种市场参与者都在努力实现这种替代;例如，美光正计划在2018年推出一种替代dram的STT-MRAM产品。

应用程序的见解万博赛事直播客户端

企业存储应用有望很快获得关注。预计到2025年，该市场价值将达到12.27亿美元。由于MRAM比闪存使用更少的功率，预计这一应用领域将会增长。低功耗可以提高企业存储应用的运行效率。

北美磁阻存储器(MRAM)市场，各应用，2015年(%)

在预测期内，用于航空航天和国防工业的磁阻随机存取存储器技术预计将以37.6%的最高复合年增长率增长。这可以归因于该技术的耐高温性能，使其成为最有利的选择。此外，由于其更快的读写能力，该技术最适合消费电子应用，但设计此类设备的高成本限制了其在消费电子应用中的增长。

区域的见解万博赛事直播客户端

2015年，北美地区以超过36%的收入份额主导市场。这种主导地位可以归因于主要参与者的存在，以及该地区不断增加的研发活动。

此外，为了满足日益增长的需求，更快的计算，更好的可扩展性和更低的功耗，预计将促进磁阻随机存取存储器设备的增长。

亚太地区预计将在未来九年内成为增长最快的地区，这得益于数据中心基础设施的改进和进步，以及云计算和互联网使用的日益普及。此外，可穿戴电子产品和移动电话的销售有很高的增长机会。由于低成本的劳动力和原材料供应，亚太地区有几家内存制造商和代工服务提供商。

关键公司和市场份额洞察万博赛事直播客户端

主导市场的主要供应商包括Avalanche Technology, Inc.、Everspin Technologies, Inc.、Honeywell International, Inc.、Intel Corporation、NVE Corporation、Qualcomm, Inc.、Samsung Electronics Co.、Spin Transfer Technologies、Toshiba Corporation和Crocus Nano Electronics LLC等。

这些参与者越来越专注于开发新产品和创新，以成为技术先驱并主导市场。此外，在这个市场上观察到越来越多的伙伴关系和合作趋势。例如，2016年9月，Avalanche Technology, Inc.与索尼半导体制造公司达成协议，在300毫米晶圆上初始化Avalanche的STT-MRAM生产。此次合作旨在帮助Avalanche采用基于垂直磁隧道结(pMTJ)的STT技术。

2014年，Everspin Technologies, Inc.与Global Foundries签订了MRAM技术的生产协议。根据这一合作关系，前者负责独立芯片应用，而后者负责开发使用pMTJ STT技术设计的嵌入式MRAM应用。

磁阻存储器(MRAM)市场报告范围

报告的属性	细节
2020年市场规模价值	8.925亿美元
2025年收入预测	480390万美元
增长速度	2018年至2025年的复合年增长率为35.7%
估算基准年	2015
历史数据	2014 - 2015
预测期	2018 - 2025
量化单位	2018年至2025年的营收为百万美元，CAGR为年复合增长率
报告覆盖	收入预测，公司排名，竞争格局，增长因素和趋势
部分覆盖	类型、应用程序和区域。
区域范围	北美;欧洲;亚太地区;拉丁美洲;和是
国家范围	美国;加拿大;德国;英国;印度;日本;中国;和巴西
主要公司简介	雪崩科技公司;Everspin科技有限公司;霍尼韦尔国际公司;英特尔公司;NVE公司;高通公司。三星电子;自旋转移技术;东芝公司;番红花纳米电子有限责任公司。
自定义范围	购买后可免费定制报告(相当于最多8个分析师工作日)。增加或变更国家、地区、部门范围。
定价和购买选项	利用定制的购买选项，以满足您的确切研究需求。探索购买选择

报告涵盖的部分

本报告预测了全球、区域和国家层面的收入增长，并分析了2014年至2025年每个细分市场的行业趋势。在这项研究中，Grand View Research根据类型、应用和地区对全球MRAM市场进行了细分:

• 类型展望(收入，百万美元;2014 - 2025)

  • 切换MRAM

  • 自旋传递扭矩MRAM (STT-MRAM)

• 应用前景(收益，百万美元;2014 - 2025)

  • 消费电子产品

  • 机器人

  • 汽车

  • 企业存储

  • 航空航天与国防

  • 其他人

• 区域展望(收入，百万美元;2014 - 2025)

  • 北美

  • 欧洲

    • 俄罗斯

  • 亚太地区

  • 行