下一代内存市场有望获得动力由于不断增长的高可扩展的需求,快速、经济的内存解决方案。随着数据,越来越需要管理和存储数据和信息为未来的引用。市场参与者的目标是提供电力环保技术以及提高效率的新一代记忆市场。
全球下一代内存市场应用,2013 - 2020
降低利润率预计传统的内存技术是新技术发展的关键因素,预计将提供更快更高效的存储方法。不断增长的海量存储需求和通用存储设备预计将有利于市场增长预测期。高设计成本和稳定性在极端环境条件将阻碍市场增长在未来六年。此外,低写耐力率可以作为下一代内存市场的约束。
日益增长的需求在不同的应用,如工业和更换闪存可以提供新的机遇在预测期间的市场增长。灵活和可穿戴电子产品的需求增加也可能为市场增长提供新的途径。
下一代内存市场产品解决迫切需要在某些特定的小型装置。预计企业存储的关键应用程序段在预测期内由于越来越适应的STT-MRAM和PCM的记忆。非易失性内存预计将提高企业存储系统的输入和输出性能的需求估计和基于web的数据日益增长的需求增加。采用PCM /也或闪存手机预计将增加。微控制器和智能卡可能会采用PCM, MRAM或STT-MRAM替代嵌入flash高密度芯片。
非易失性存储器(NVM)是高度可靠,可以使用一个简单的微机程序,在大多数现代电子设备;段占大多数的下一代内存市场在2013年。一些非易失性记忆包括相变内存(PCM),铁电随机存储器(FeRAM) Magneto-resistive RAM (MRAM),电阻RAM (RRAM), flash和自旋扭矩RAM (stt - RAM)。内存类型分类是基于其功能属性的编程和擦除操作。MRAM, stt - ram和RRAM预计将有前途的新兴技术。自旋扭矩技术有潜力减少当前的需求和成本;然而,目前,所需的电流太高对于大多数商业应用。此外,特性,比如增加安全性,降低功耗,提高耐力也有望NVM属性导致市场增长的关键。
MRAM, stt - ram和RRAM预计将有前途的新兴技术。自旋扭矩技术有潜力减少当前的需求和成本;然而,目前,所需的电流太高对于大多数商业应用。此外,特性,比如增加安全性,降低功耗,提高耐力也有望NVM属性导致市场增长的关键。
亚太地区将重点区域市场在预测期内由于关键行业参与者的国家如中国、韩国、日本和印度等。此外,电脑和手机市场增长预计也将有利于地区下一代内存市场在接下来的六年。不同的接口技术包括DDR、SATA、SAS作为PCIe, I2C,等。DDR接口主要用于高速度和内存要求应用,如工业、网络和通讯设备。他们也用在服务器、工作站和图形卡。DDR有能力获取数据上升和下降沿时钟周期的一倍数据速率对于一个给定的时钟频率。SATA接口主要是用于计算机系统和笔记本电脑。作为PCIe接口适用于所有计算机应用包括企业服务器、消费者个人电脑(PC),通信系统和工业应用缓存和缓冲的应用程序。
关键供应商在下一代内存市场是IBM公司Adesto技术,Everspin技术,横梁Inc,富士通公司、英特尔公司、微米技术,三星电子有限公司和东芝公司总部等。东芝和韩国SK海力士正在MRAM提供高存储容量和消耗三分之二DRAM的力量,这是广泛应用于个人电脑、智能手机和其他设备。取代这些常规的记忆芯片与MRAM预计将增加电池寿命的设备和驱动等大量数据的传输视频文件。此外,这也将为更小的电池组件覆盖增强发展的可穿戴设备如看电脑和眼镜。