2015年,全球下一代非易失性存储器市场规模为5.2480亿美元,预计将在预测期内获得增长。由于对高可伸缩、快速和经济的内存解决方案的需求不断增加,该行业有望获得发展势头。随着数据的增加,管理和存储数据和信息以供将来参考的需求也在增加。
下一代非易失性记忆市场,按地区,2014 - 2024,(百万美元)
行业参与者的目标是在提高行业效率的同时提供节能技术。传统存储技术利润率的不断下降,预计将成为新技术发展的关键因素,新技术有望提供更快、更有效的存储方法。
预计对大众储存和通用储存设备的需求不断增长,以支持市场增长。预计极端环境条件下的高设计成本和稳定性将阻碍未来六年的增长。
在工业和更换闪存等各种应用中的需求增加可能会在预测期内提供新的市场增长机会。对灵活和可穿戴电子产品的需求增加也可能为行业增长提供新的途径。
非易失性存储器(NVM)高度可靠,可使用简单的微计算机和大多数现代电子设备进行编程;该部分占2015年的下一代非易失性内存市场的大多数。很少有非易失性存储器包括相变存储器(PCM),铁电RAM(FERAM),磁阻式RAM(MRAM),电阻RAM(RRAM),闪光和旋转转动扭矩ram(stt-ram)。
MRAM产品在2015年主导了整个行业,市场规模为2.402亿美元。在预测期内,ream将成为增长最快的产品。内存类型通常是根据其与编程和擦除操作有关的功能属性进行分类的。
该行业产品在某些特定和小型设备中解决了迫切需求。由于STT-MRAM和PCM内存的适应性增加,预计企业存储将在预测期间对预测期的关键申请部门。嵌入式MCU&智能卡应用部分被认为在预测期间获得牵引。
北美下一代非易失性记忆市场,由产品,2015年(百万美元)
非易失性存储器有望提高企业存储系统的输入和输出性能,因为随着对基于web的数据需求的增长,预计其需求也会增加。PCM取代NOR或快闪存储器在移动电话中的应用预计将会增加。微控制器和智能卡很可能采用PCM、MRAM或STT-MRAM作为嵌入式闪存高密度芯片的替代品。
由于中国、韩国、日本和印度等国家的主要行业参与者的存在,亚太地区预计将在预测期内成为主要的区域市场。此外,不断增长的电脑和手机行业也有望在未来六年内促进该地区的增长。
不同的接口技术包括DDR,SATA,SAS,PCIe和I2C。DDR接口主要使用高速和内存要求苛刻的应用,如工业,网络和电信设备。它们也用于服务器,工作站和图形卡。
DDR能够在一个时钟周期的上升和下降边缘上获取数据,对于一个给定的时钟频率,数据速率翻倍。SATA接口主要用于计算机系统和笔记本电脑。PCIe接口适用于所有计算机应用,包括企业服务器、PC、通信系统和工业应用,用于缓存和缓冲应用。
该行业的主要供应商是IBM Corp,Adesto Technologies,Everspin Technologies,Crossbar Inc,Fujitsu Ltd,Intel Corporation,Micron Technology,三星电子有限公司和东芝公司。基于东芝和韩国的SK Hynix正在研究MRAM,提供高存储容量,并消耗三分之二的DRAM的功率,这广泛应用于个人电脑,智能手机和其他设备。
属性 |
细节 |
估计基准年 |
2015年 |
实际估计/历史数据 |
2014 - 2015年 |
预测期 |
2016 - 2024 |
市场代表性 |
2016年至2024年的百万美元和CAGR的收入 |
区域范围 |
北美,欧洲,亚太和世界其他地区 |
报告报告 |
收入预测,公司排名,竞争格局,增长因素。和趋势 |
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本报告预测全球和区域一级的收入增长,并为2014年至2024年的每个子部分的行业趋势进行了分析。为了本研究的目的,大观研究已经分段为全球下一代非易失性记忆市场在产品,应用和区域的基础上:
产品展望(收入,百万美元;2014 - 2024年)
Feram.
PCM.
MRAM.
ReRAM
申请前景(收入,百万; 2014 - 2024)
手机
缓存内存和企业存储
工业与汽车
大容量存储
嵌入式MCU和智能卡
区域展望(收入,百万美元;2014 - 2024年)
北美
欧洲
亚太地区
世界其他地区(行)